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A simple expression for impurity distribution after multiple diffusion processes
IOP Publishing
Hu Hao and Chen Xingbi
diffusion
impurity
atoms
atom
processes
exp
probability
erf
diffusions
coefficient
g.x
technology
diffuse
4l2e
effective
semiconductor
characterized
numerical
assumption
junction
l2e
shown
square
devices
drain
igbt
lengths
obtained
simulation
simulations
2le
2le2
2lef
advance
bcd
device
equation
instructive
integrating
interval
locating
n.x
4d1
4d2
4dt
4l2a
calculated
conference
coordinate
deposited
Ano:
2010
Idioma:
english
Arquivo:
PDF, 220 KB
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english, 2010
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